写入速度比U盘快1万倍中国科学家开创第三类存储技术

2018-04-12 07:26:14 王春来源：科技日报责任编辑：林晨林晨我来说两句

4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内清洗硅片(拼版照片)。新华社记者丁汀摄图片来源：新华网

最重要的是，二维材料可以获得单层的具有完美界面特性的原子级别晶体，这对集成电路器件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发新型存储器都有着巨大潜力，是降低存储器功耗和提高集成度的崭新途径。基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成，为未来的新型计算机奠定基础。

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